特許
J-GLOBAL ID：201703008243400529

高分子電解質材料の製造方法

発明者：
梅田 浩明

梅田 浩明 について

, 
出原 大輔

出原 大輔 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-194800
公開番号（公開出願番号）：特開2013-079367
特許番号：特許第6179080号
出願日： 2012年09月05日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】下記一般式(M1)で表される芳香族スルホン酸エステル誘導体と、2価フェノール化合物とを芳香族求核置換反応により重合してなるスルホン酸エステル基含有芳香族ポリエーテルケトンを脱エステル化する高分子電解質材料の製造方法であって、前記2価フェノール化合物として、下記一般式(r1)〜(r10)で表される、ケトン部位をアセタールまたはケタール部位で保護した保護基を有する化合物またはこれらの誘導体を用いるとともに、前記スルホン酸エステル基含有ポリエーテルケトンを成型した後、前記保護基の少なくとも一部を酸処理により脱保護せしめ、その後熱処理を行い、その後脱エステル化を行って前記アセタールまたはケタール部位をケトン部位とする高分子電解質材料の製造方法。 (式(M1)中、Zは-CO-を表す。Rはスルホン酸エステル基ごとにそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基を表し、ヘテロ原子を含んでいても良い。またX1、X2はハロゲン原子を表す。)
IPC (5件)：
C08G 65/40 ( 200 6.01) ,  C08G 61/12 ( 200 6.01) ,  H01M 8/02 ( 201 6.01) ,  H01M 8/10 ( 201 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01)
FI (5件)：
C08G 65/40 ,  C08G 61/12 ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10 ,  H01B 1/06 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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