特許

J-GLOBAL ID：201703008257402214

固体撮像素子、センサ装置、および電子機器

発明者： 工藤 義治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-072167
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183636
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：

【課題】より良好な特性を得る。【解決手段】画素を構成するトランジスタは、半導体基板の表面に平面的に形成される平面部から半導体基板の内部に向かって埋め込まれるように形成される少なくとも2本のフィン部を有するゲート電極と、それらのフィン部の側面に絶縁膜を介して接するように、ソースおよびドレインの間に亘って設けられるチャネル部とを有して構成される。そして、チャネル部の幅がフィン部の深さよりも狭く形成される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に平面的に形成される平面部から前記半導体基板の内部に向かって埋め込まれるように形成される少なくとも1本以上のフィン部を有するゲート電極と、 前記フィン部の側面に絶縁膜を介して接するように、ソースおよびドレインの間に亘って設けられるチャネル部と を有して構成され、前記チャネル部の幅が前記フィン部の深さよりも狭く形成されるトランジスタを有する画素 を備える固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/374

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 740

Fターム (13件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA01 ,  4M118DA34 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118GD03 ,  5C024CX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX40