特許
J-GLOBAL ID：201703008339936721
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013050369
公開番号（公開出願番号）：WO2014-109044
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2014年07月17日
要約：
半導体装置(SC)は、1つのチップ領域が分割露光により形成された半導体装置である。層間絶縁膜(II2〜II6)は、素子形成領域においてビア(VH1〜VH5)と配線溝(IT1〜IT5)とを有し、かつガードリング領域においてガードリング用孔(GH2〜GH6)を有している。配線用導電層(CL1〜CL5)はビア(VH1〜VH5)および配線溝(IT1〜IT5)内に形成されている。ガードリング用導電層(GRP2〜GRP6)はガードリング用孔(GH2〜GH6)内に形成されている。ガードリング用導電層(GRP3〜GRP6)の幅の最小寸法(D2A〜D5A)がビア(VH2〜VH5)内における配線用導電層(CL2〜CL5)の幅の最小寸法(D2B〜D5B)よりも大きい。
請求項（抜粋）：
1つのチップ領域内に素子形成領域と、平面視において前記素子形成領域の周囲を取り囲むガードリング領域とを有し、かつ前記1つのチップ領域が分割露光により形成された半導体装置(SC)であって、
前記素子形成領域に形成されたビアホール(VH2〜VH5)と前記ビアホール(VH2〜VH5)上にて前記ビアホール(VH2〜VH5)に連通する配線溝(IT2〜IT5)とを有し、かつ前記ガードリング領域において前記素子形成領域を取り囲むように延在するガードリング用孔(GH3〜GH6)を有する層間絶縁膜(II3〜II6)と、
前記ビアホール(VH2〜VH5)および前記配線溝(IT2〜IT5)内に形成された部分を有する配線用導電層(CL2〜CL5)と、
前記ガードリング用孔(GH3〜GH6)内に形成された部分を有するガードリング用導電層(GRP3〜GRP6)とを備え、
前記ガードリング用導電層(GRP3〜GRP6)の幅の最小寸法(D2A〜D5A)は、前記ビアホール(VH2〜VH5)内における前記配線用導電層(CL2〜CL5)の幅の最小寸法(D2B〜D5B)よりも大きい、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, G03F 7/207
, H01L 27/14
H01L27/14 A
, G03F7/207 H
, H01L27/14 D
2H197AB02
, 2H197HA03
, 2H197HA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA31
, 4M118CA32
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 4M118FA33
, 4M118HA31
