特許
J-GLOBAL ID：201703008359045998

半導体装置、記憶装置、電子機器及び半導体装置の駆動方法

発明者：
大貫 達也

大貫 達也 について

, 
塩野入 豊

塩野入 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-093550
公開番号（公開出願番号）：特開2016-219089
出願日： 2016年05月09日
公開日（公表日）： 2016年12月22日
要約：
【課題】新規な半導体装置、又は多値の情報の記憶が可能な半導体装置、又は消費電力が低い半導体装置、又は面積の縮小が可能な半導体装置、又は信頼性が高い半導体装置の提供。【解決手段】第1のトランジスタ及び容量素子を有するメモリセルと、第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、容量素子の一方の電極と電気的に接続され、容量素子の他方の電極は、第2の配線と電気的に接続され、第2のトランジスタのゲートは、第1の配線と電気的に接続されている半導体装置。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタ及び容量素子を有するメモリセルと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、 前記容量素子の他方の電極は、第2の配線と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の配線と電気的に接続され、 前記第2の配線には、前記メモリセルに書き込むデータに応じた第1の電位が供給され、 前記第1のトランジスタをオン状態とすることにより、前記容量素子の一方の電極に所定の電位を供給する第1の動作を行う機能と、 前記第1の動作の後、前記第1のトランジスタをオフ状態とし、前記第2の配線の電位を前記第1の電位から第2の電位に変化させることにより、前記容量素子の一方の電極の電位を前記第1の電位に応じた第3の電位とする第2の動作を行う機能と、を有する半導体装置。
IPC (5件)：
G11C 11/56 ,  G11C 11/401 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
G11C11/34 381A ,  G11C11/34 381D ,  G11C11/34 371K ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 621Z ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B
Fターム (106件)：
5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD24 ,  5F083AD69 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR38 ,  5F083ZA21 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5M024BB14 ,  5M024CC07 ,  5M024CC13 ,  5M024CC72 ,  5M024PP02 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-253400   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-062363   出願人：エルピーダメモリ株式会社
  • 強誘電体型不揮発性半導体メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-319886   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (3件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-253400   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-062363   出願人：エルピーダメモリ株式会社
  • 強誘電体型不揮発性半導体メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-319886   出願人：ソニー株式会社

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