特許

J-GLOBAL ID：201703008373456232

オーバーレイマーク、これを用いたオーバーレイ計測方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者： チャン・ヒョンジン ,  ハ・ホチョル ,  イ・ギルス
出願人/特許権者： オーロステクノロジー, インク.
代理人 (1件)： 工藤 一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-209326
特許番号：特許第6063602号
出願日： 2016年10月26日
要約：

【課題】本発明は、半導体製造工程でのパターン層が正確に合っていることを確認するために、パターン層と同時に形成されている新しいオーバーレイマークを提供することを目的とする。 【解決手段】2つの連続するパターン層または1つの層に別々に形成された複数のパターンとの間の相対的なズレを決定するオーバーレイマークであって、互いに向き合って、第1方向に延長された一対の第1バーと、お互いに向き合って前記第1の方向と直交する第2方向に延長された一対の第2バーとを含む第1のオーバーレイ構造物と、前記第1バーと平行の複数対の第3バーと、前記第2バーと平行の複数対の第4バーが含み、隣接する第3バーの間の間隔が異なり、隣接する第4バーの間の間隔が異なる第2のオーバーレイ構造物とを含むオーバーレイマークを提供する。 【選択図】図3

請求項（抜粋）：

【請求項1】 2つの連続するパターン層または1つの層に別々に形成された複数のパターンとの間の相対的なズレを決定するオーバーレイマークであって、 互いに向き合って、第1方向に延長された一対の第1バーと、互いに向き合って前記第1の方向と直交する第2方向に延長された一対の第2バーを含む第1のオーバーレイ構造物と、 前記第1バーと平行の複数対の第3バーと、前記第2バーと平行の複数対の第4バーが含み、隣接する第3バーの間の間隔が異なり、隣接する第4バーの間の間隔が異なる第2のオーバーレイ構造物とを含み、 前記第3バーと前記第4バーは、それぞれの長さ方向に沿って複数のサブバーに分割され、前記複数のサブバーは、同じ層に形成され、 前記複数のサブバーは幅が異なる少なくとも2つのサブバーを含み、 前記サブバーは、それぞれの幅方向に沿って複数のセグメントバーに分割され、 隣接する前記サブバーは、異なる数のセグメントバーに分割されることを特徴とするオーバーレイマーク。

IPC (2件)：

G03F 9/00 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G03F 9/00 H ,  G03F 7/20 521