薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレート

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤谷修 , 一色昭則 , 角谷智広
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016000895
公開番号（公開出願番号）：WO2016-132746
出願日： 2016年02月19日
公開日（公表日）： 2016年08月25日
要約：

立方晶基板に六方晶のバッファ層を形成する薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレートを提供することを目的とする。この成膜方法は、立方晶の基板の上に六方晶の薄膜を成膜する方法である。基板(110)は、立方晶のSi(001)基板である。基板(110)をチャンバー(1100)の内部のサセプター(1200)に配置する。基板(110)の板面に垂直な方向に対して10°以上60°以下の範囲内で傾斜させた位置にターゲット(1500)を配置する。基板(110)をチャンバー(1100)に対して回転させずに、スパッタリングにより立方晶の基板(110)の上に六方晶のバッファ層(120)を成膜する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上のバッファ層と、を有する薄膜基板において、前記基板は、立方晶基板であり、前記バッファ層は、六方晶であり、前記バッファ層のc軸は、50%以上の割合で第1の方向を向いており、前記第1の方向は、前記基板の板面に垂直な方向に対して10°以上60°以下の範囲内で傾斜していることを特徴とする薄膜基板。

IPC (9件)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 33/12 , H01L 33/32 , H01L 33/16

FI (7件)：

H01L21/20 , H01L21/203 S , H01L21/205 , H01L29/80 H , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/16

Fターム (52件)：

5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA61 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ05 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F103AA08 , 5F103BB35 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL02 , 5F103LL09 , 5F103NN01 , 5F103PP15 , 5F103PP20 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LN12 , 5F152LN18 , 5F152MM05 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN21 , 5F152NN27 , 5F152NP21 , 5F241AA40 , 5F241CA04 , 5F241CA05 , 5F241CA23 , 5F241CA40 , 5F241CA65

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