特許

J-GLOBAL ID：201703008609332904

垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体

発明者： 介川 裕章 ,  李 和▲チョル▼ ,  宝野 和博 ,  三谷 誠司 ,  劉 軍 ,  園部 義明 ,  高橋 茂樹
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  三星電子株式会社
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-094864
公開番号（公開出願番号）：特開2017-204542
出願日： 2016年05月10日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
要約：

【課題】 飽和磁化が小さく平坦な垂直磁化膜構造を提供すること、およびこの垂直磁化膜構造を用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 MnGa合金に窒素Nを制御して導入して形成した窒素不足組成の(Mn1-xGax)Ny(0 請求項（抜粋）：

組成が、 (Mn1-xMx)Ny (Mは、Ga、Geの金属元素のうちの1種または2種を示し、0 IPC (4件)：

H01F 10/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 41/18

FI (4件)：

H01F10/12 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01F41/18

Fターム (21件)：

5E049AA10 ,  5E049BA08 ,  5E049CB02 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14 ,  5E049GC04 ,  5E049JC01 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092BB05 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 磁気トンネル接合素子の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-272186   出願人：株式会社サムスン日本研究所, 国立大学法人東北大学
• 垂直磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267355   出願人：ソニー株式会社
• 垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-084773   出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構, サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

審査官引用 (3件)

• 磁気トンネル接合素子の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-272186   出願人：株式会社サムスン日本研究所, 国立大学法人東北大学
• 垂直磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-267355   出願人：ソニー株式会社
• 垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-084773   出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構, サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Ferromagnetic MnGaN thin films with perpendicular magnetic anisotropy for spintronocs application

審査官引用 (1件)

• Ferromagnetic MnGaN thin films with perpendicular magnetic anisotropy for spintronocs application