特許
J-GLOBAL ID：201703008661935919

ESD保護用半導体デバイス

発明者：
リン ジョンユ

リン ジョンユ について

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ダイ メン

ダイ メン について

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フー ヨンハイ

フー ヨンハイ について


出願人/特許権者：
シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド

シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド について


代理人 (6件)： 田中 伸一郎 ,  弟子丸 健 ,  松下 満 ,  倉澤 伊知郎 ,  山本 泰史 ,  丹澤 一成
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-537101
特許番号：特許第6189964号
出願日： 2012年10月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 静電放電保護のための半導体デバイスであって、 基板と、 前記基板内に形成され、第1の導電型を有する第1のウェルと、 前記基板内に形成され、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有し、前記第1のウェルと横並びに形成されて該第1のウェルと界面にて交わる第2のウェルと、 前記第1の導電型を有して前記第1のウェル内に形成され、前記界面から第1の距離に位置付けられた第1の高濃度ドープ領域と、 前記第2の導電型を有して前記第1のウェル内に形成され、前記界面から第2の距離に位置付けられた第2の高濃度ドープ領域と、 前記第2の導電型を有して前記第2のウェル内に形成され、前記界面から第3の距離に位置付けられた第3の高濃度ドープ領域と、 前記第1の導電型を有して前記第2のウェル内に形成され、前記界面から第4の距離に位置付けられた第4の高濃度ドープ領域であって、前記第4の距離は前記第3の距離と異なっている、第4の高濃度ドープ領域と、 を備え、前記第1及び第2の高濃度ドープ領域の位置は、前記界面に平行な方向に沿って交互に配置され、 前記界面に平行な方向が第1の方向であり、前記第1及び第2の高濃度ドープ領域が、前記第1の方向又は該第1の方向に垂直な第2の方向の何れにおいても重なり合わず、 前記第1の距離が前記第2の距離よりも小さい、半導体デバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/87 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 29/90 Z ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 C
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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