特許
J-GLOBAL ID：201703008732279074
均一膜厚かつ矩形断面を有するパターン膜形成方法、形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 もえぎ特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015051780
公開番号（公開出願番号）：WO2015-146260
出願日： 2015年01月23日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：
パターンサイズに依存せずほぼ一定の膜厚を有し、かつパターンの断面形状が矩形であり、しかも、反転転写印刷法よりも高いインク使用効率が得られるパターン膜形成方法、形成装置を提供する。(ア)溶媒吸収性シリコーンゴムからなり、平滑な表面を有するブランケットにインクを塗布してインク膜を形成する工程、(イ)ブランケットの平滑な表面に形成されたインク膜に凸版を押し当てることで凸版の凸部にインク膜を転写させる工程、(ウ)凸版の凸部表面に転写したインク膜を被転写物に押し当てることでインク膜を被転写物表面に転写する工程、を含むパターン膜形成方法。
請求項（抜粋）：
(ア)溶媒吸収性シリコーンゴムからなり、平滑な表面を有するブランケットにインクを塗布してインク膜を形成する工程、
(イ)ブランケットの平滑な表面に形成されたインク膜に凸版を押し当てることで凸版の凸部にインク膜を転写させる工程、
(ウ)凸版の凸部表面に転写したインク膜を被転写物に押し当てることでインク膜を被転写物表面に転写する工程、
を含むパターン膜形成方法。
IPC (3件)：
B41M 1/02
, B41F 3/20
, H05K 3/12
B41M1/02
, B41F3/20 Z
, H05K3/12 630Z
2H113AA01
, 2H113BA01
, 2H113BB07
, 2H113BB09
, 2H113BB10
, 2H113BB22
, 2H113BC12
, 5E343AA01
, 5E343AA11
, 5E343BB21
, 5E343BB72
, 5E343DD02
, 5E343FF02
, 5E343GG06
, 5E343GG20
