ニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016051389
公開番号（公開出願番号）：WO2016-125579
出願日： 2016年01月19日
公開日（公表日）： 2016年08月11日
要約：

本発明に係る鉛を含まないニオブ酸系強誘電体を用いた薄膜素子の製造方法は、基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、前記下部電極膜上にニオブ酸系強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程と、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に対して所定のキレート剤のアルカリ水溶液とH2O2 aq.とを含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行うことによって、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う強誘電体薄膜エッチング工程とを有し、前記所定のキレート剤は、EDTMP、NTMP、CyDTA、HEDP、GBMP、DTPMP およびクエン酸から選ばれる少なくとも一つであり、前記アルカリ水溶液はNH3aq.を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法であって、基板上に下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、前記下部電極膜上にニオブ酸系強誘電体薄膜を形成する強誘電体薄膜形成工程と、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜上にエッチングマスクを所望のパターンとなるように形成するエッチングマスクパターン形成工程と、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に対して所定のキレート剤とアルカリ水溶液と過酸化水素水とを含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行うことによって、前記ニオブ酸系強誘電体薄膜に所望パターンの微細加工を行う強誘電体薄膜エッチング工程とを有し、前記所定のキレート剤は、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、シクロヘキサンジアミン四酢酸、1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸(エチドロン酸)、グリシン-N,N-ビス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、およびクエン酸から選ばれる少なくとも一つであり、前記アルカリ水溶液はアンモニア水溶液を含むことを特徴とするニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 41/332 , H01L 41/187 , H01L 41/29 , H01L 41/047 , H01L 41/316 , H01L 41/338 , H01L 21/308

FI (7件)：

H01L41/332 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/047 , H01L41/316 , H01L41/338 , H01L21/308 E

Fターム (5件)：

5F043AA40 , 5F043BB25 , 5F043DD10 , 5F043DD22 , 5F043GG10

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