ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-174571
公開番号（公開出願番号）：特開2017-050485
出願日： 2015年09月04日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：

【課題】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルMISFETを得るための製造方法上の条件を明らかにする。【解決手段】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルMISFETはいくつか知られていたが、ノーマリーオフ化するために必要な条件は不明であった。本発明では、ゲート酸化物を複数層構成とした上で、160°Cから350°Cの範囲という比較的低温でアニールすることで、通常はノーマリーオン動作するこの種のMISFETがノーマリーオフ化することを見出した。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複数層構造のゲート酸化物を用いた水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法において、前記ゲート酸化物を水素化ダイヤモンド上に形成した後の任意の時点で160°Cから350°Cの範囲でアニールするステップを含む、ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L21/316 M , H01L21/316 X

Fターム (22件)：

5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F140BA04 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE09 , 5F140BE16 , 5F140BF05 , 5F140BF17 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17

引用特許：

審査官引用 (4件)

電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-047025 出願人：学校法人早稲田大学
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-035398 出願人：日本電信電話株式会社
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-333174 出願人：日本電信電話株式会社

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