特許

J-GLOBAL ID：201703009050535369

薄膜拡散バリア

発明者： グルンラン ジェイミー シー ,  プリオロ モーガン エイ ,  バーグマン ブライアン アール ,  マクヒュー ジョン ジェイ
出願人/特許権者： カンパニー ジェネラレ デ エスタブリシュメンツ ミシュラン ,  ミシュラン ルシェルシュ エ テクニーク ソシエテ アノニム ,  ザ テキサス エイ・アンド・エム ユニヴァーシティ システム
代理人 (9件)： 西島 孝喜 ,  弟子丸 健 ,  田中 伸一郎 ,  箱田 篤 ,  浅井 賢治 ,  山崎 一夫 ,  市川 さつき ,  服部 博信 ,  松田 七重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-123416
公開番号（公開出願番号）：特開2016-175084
出願日： 2016年06月22日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】ガスおよび蒸気に対する拡散バリアを改善すること。【解決手段】エラストマー基板は物質拡散バリアを有し、方法は同バリアを製造する。一実施形態では、エラストマー基板上に物質拡散バリアを製造する方法は、エラストマー基板をカチオン性溶液に暴露してエラストマー基板上にカチオン層を製造するステップを含む。本方法はまた、カチオン層をアニオン性溶液に暴露してカチオン層上にアニオン層を製造するステップを含む。層はカチオン層およびアニオン層を含む。層は物質拡散バリアを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(A)エラストマー基板をカチオン性溶液に暴露して前記エラストマー基板上にカチオン層を製造するステップと; (B)前記カチオン層をアニオン性溶液に暴露して前記カチオン層上にアニオン層を製造するステップと を含む、エラストマー基板上に物質拡散バリアを製造する方法であって、層が前記カチオン層および前記アニオン層を含み、前記層が前記物質拡散バリアを含む方法。

IPC (2件)：

B05D 5/00 ,  B05D 7/04

FI (2件)：

B05D5/00 Z ,  B05D7/04

Fターム (20件)：

4D075AE03 ,  4D075CA42 ,  4D075DA06 ,  4D075DB31 ,  4D075DB35 ,  4D075DB50 ,  4D075DB54 ,  4D075DC21 ,  4D075DC36 ,  4D075EA12 ,  4D075EA41 ,  4D075EB14 ,  4D075EB19 ,  4D075EB22 ,  4D075EB32 ,  4D075EB37 ,  4D075EC01 ,  4D075EC03 ,  4D075EC05 ,  4D075EC07