特許
J-GLOBAL ID：201703009211022286
ガス拡散電極基材およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016062149
公開番号（公開出願番号）：WO2016-171082
出願日： 2016年04月15日
公開日（公表日）： 2016年10月27日
要約：
本発明は、細孔がふさがれることによるガス拡散性の低下を抑えて、発電性能の低下を抑えながら、さらに系外への水の排出性に優れたガス拡散電極基材を提供する。本発明は、電極基材の一方の表面に、マイクロポーラス層(以下、MPLという)を配置させたガス拡散電極基材であって、厚さが110μm以上240μm以下であり、ガス拡散電極基材の断面を、MPLを有する部分とMPLを有さない部分とに分け、さらにMPLを有さない部分を、MPLと接する部分(以下、CP1断面という)とMPLと接しない部分(以下、CP2断面という)に2等分したときに、CP1断面のF/C比が0.03以上0.10以下、CP2断面のF/C比が0.03未満である、ガス拡散電極基材である。ここで「F」とはフッ素原子の質量を意味し、「C」とは炭素原子の質量を意味する。
請求項（抜粋）：
電極基材の一方の表面に、マイクロポーラス層(以下、MPLという)を配置させたガス拡散電極基材であって、
厚さが110μm以上240μm以下であり、
ガス拡散電極基材の断面を、MPLを有する部分とMPLを有さない部分とに分け、さらにMPLを有さない部分を、MPLと接する部分(以下、CP1断面という)とMPLと接しない部分(以下、CP2断面という)に2等分したときに、CP1断面のF/C比が0.03以上0.10以下、CP2断面のF/C比が0.03未満である、ガス拡散電極基材。
ここで「F」とはフッ素原子の質量を意味し、「C」とは炭素原子の質量を意味する。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01M4/96 H
, H01M4/88 H
, H01M4/96 M
5H018AA06
, 5H018BB08
, 5H018CC06
, 5H018DD10
, 5H018HH03
, 5H018HH04
, 5H018HH05
, 5H026AA06
