炭化珪素単結晶基板、炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-138660
公開番号（公開出願番号）：特開2016-210680
出願日： 2016年07月13日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】フォトリソグラフィ工程におけるマスクパターンの位置ずれを抑制可能な炭化珪素単結晶基板、炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素単結晶基板10は、第1主面10aと、第1主面10aと反対側の第2主面10bとを備えている。第1主面10aは、中央正方領域1と、外側正方領域2とを含む。厚み方向TDから見た場合、中央正方領域1および外側正方領域2の双方の一辺の長さは15mmである。第1主面10aの最大径Wは、100mm以上である。炭化珪素単結晶基板10のTTVは、5μm以下である。中央正方領域1におけるLTIRを中央正方領域1におけるLTVで除した値は、0.8以上1.2以下である。外側正方領域2におけるLTVを中央正方領域1におけるLTVで除した値は、1以上3以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを備えた炭化珪素単結晶基板であって、前記第1主面は、前記炭化珪素単結晶基板の重心を通りかつ前記炭化珪素単結晶基板の厚み方向に平行な直線と前記第1主面との交点を中心とする正方形に囲まれた中央正方領域と、前記第1主面の外縁上のある位置と前記交点とを繋ぐ直線に対して垂直な直線と平行な辺を有しかつ前記ある位置から前記交点に向かって10.5mm離れた位置を中心とする正方形に囲まれた外側正方領域とを含み、前記厚み方向から見た場合、前記中央正方領域および前記外側正方領域の双方の一辺の長さは15mmであり、前記第1主面の最大径は、100mm以上であり、前記炭化珪素単結晶基板のTTVは、5μm以下であり、前記中央正方領域におけるLTIRを前記中央正方領域におけるLTVで除した値は、0.8以上1.2以下であり、前記外側正方領域におけるLTVを前記中央正方領域におけるLTVで除した値は、1以上3以下である、炭化珪素単結晶基板。

IPC (6件)：

C30B 29/36 , C30B 25/20 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (6件)：

C30B29/36 A , C30B25/20 , H01L29/78 652T , H01L29/78 658E , H01L29/78 658A , H01L21/20

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077DB07 , 4G077DB09 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 5F152LL03 , 5F152LN28 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM06 , 5F152MM07 , 5F152MM10 , 5F152MM18 , 5F152NN05 , 5F152NN30 , 5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

特許第5975200号

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