特許

J-GLOBAL ID：201703009522332718

太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

発明者： 宇治原 徹 ,  市橋 史朗 ,  志村 大樹 ,  桑原 真人 ,  原田 俊太
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013084497
公開番号（公開出願番号）：WO2014-104022
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2014年07月03日
要約：

【課題】半導体材料を太陽光に露出することによって励起された電子のエネルギーを測定できる技術を提供する。【解決手段】半導体材料92bの表面に負の電子親和力を持つ表面層を形成する。その半導体材料を真空環境に置いて太陽光97に露出し、負の電子親和力を持つ表面層から放出される光電子を光電子分光装置99に導いて太陽光97で励起された電子が持っているエネルギーを測定する。負の電子親和力を持つ表面層を利用するために、太陽光で励起された電子から光電子が得られ、エネルギー測定が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体材料の表面に負の電子親和力を持つ表面層を形成し、 その半導体材料を真空環境に置いて太陽光に露出し、 前記表面層から放出される光電子を光電子分光装置に導くことを特徴とする 太陽光で励起された電子が持っているエネルギーを測定する方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 L

Fターム (4件)：

4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA17 ,  4M106CA20