ドーピング方法、導電性構造体の製造方法、繊維状構造の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人太陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-094691
公開番号（公開出願番号）：特開2017-204535
出願日： 2016年05月10日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
要約：

【課題】本発明は、ドーピング対象物(例えば、各種化合物半導体、単元素半導体、金属酸化物)に対し、容易に陽イオンをドーピングすることができるドーピング方法を提供する。【解決手段】金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。

IPC (16件)：

H01L 21/228 , H01L 21/388 , H01L 21/22 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/322 , H01L 29/06 , H01L 29/167 , H01L 29/161 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/227 , H01L 29/207 , H01L 29/24 , H01L 29/16 , H01L 21/208

FI (18件)：

H01L21/228 , H01L21/388 , H01L21/22 Y , H01L29/78 618G , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L21/322 Z , H01L29/06 601N , H01L29/167 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/22 , H01L29/227 , H01L29/207 , H01L29/24 , H01L29/16 , H01L21/22 C , H01L21/208

Fターム (29件)：

5F053AA50 , 5F053DD03 , 5F053DD04 , 5F053DD07 , 5F053DD08 , 5F053DD09 , 5F053GG10 , 5F110AA01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG42 , 5F110GG53 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK33

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