特許
J-GLOBAL ID：201703009850615719
位相シフトマスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 鈴木 慎吾
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013084059
公開番号（公開出願番号）：WO2014-103867
出願日： 2013年12月19日
公開日（公表日）： 2014年07月03日
要約：
位相シフトマスクの製造方法は、10.4%以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタする工程を有する。
請求項（抜粋）：
透明基板上にパターニングされたCrを主成分とする遮光層を形成する工程と;
不活性ガスと窒化性ガスと酸化性ガスとを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで、i線に対して略180°の位相差をもたせるとともに、前記混合ガスにおける前記酸化性ガスを10.4%以下としてg線の透過率と前記i線の透過率との差を5%以下とすることが可能なCrを主成分とする位相シフト層を形成してパターニングする工程と、を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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