特許

J-GLOBAL ID：201703010052538584

反射型フォトマスク

発明者： 福上 典仁
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-030165
公開番号（公開出願番号）：特開2017-146547
出願日： 2016年02月19日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：

【課題】多重露光の影響を低減するための遮光領域が形成された反射型フォトマスクにおいて、露光光の光源に含まれ、被露光物であるウェハーに到達してしまうアウトオブバンド光の反射率を低減する【解決手段】基板、多層反射膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクであって、前記フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域とを含む複数の領域に区分されており、前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射膜と前記吸収膜がこの順に積層されており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、前記遮光領域では、前記基板表面が凹凸構造を有しており、前記遮光領域における、波長100〜400nmの入射光に対する平均反射率が4%以下である反射型フォトマスクとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板、多層反射膜、吸収膜を備える反射型フォトマスクであって、 前記フォトマスクの表面が回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外側の遮光領域とを含む複数の領域に区分されており、 前記回路パターン領域では、前記基板上に前記多層反射膜と前記吸収膜がこの順に積層されており、かつ、前記吸収膜が回路パターンを構成しており、 前記遮光領域では、前記基板表面が凹凸構造を有しており、 前記遮光領域における、波長100〜400nmの入射光に対する平均反射率が4%以下であることを特徴とする反射型フォトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/24 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/02

FI (3件)：

G03F1/24 ,  G02B5/08 A ,  G02B5/02 C

Fターム (12件)：

2H042BA04 ,  2H042BA11 ,  2H042BA13 ,  2H042BA16 ,  2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DA18 ,  2H042DA22 ,  2H042DB02 ,  2H042DE07 ,  2H195CA20 ,  2H195CA22