特許
J-GLOBAL ID:201703010091948722
光電変換素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柴山 健一
, 寺澤 正太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-248640
公開番号(公開出願番号):特開2017-117835
出願日: 2015年12月21日
公開日(公表日): 2017年06月29日
要約:
【課題】幅広い光量レンジに対応し得る光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換素子1Aは、共通の半導体基板30に形成され、共通のバイアス電圧により動作するAPDをそれぞれ含む複数のピクセル10と、複数のピクセル10に含まれる二以上の第1のピクセル11と電気的に接続され、二以上の第1のピクセル11からの出力電流を一括して取り出す第1の配線21と、複数のピクセル10に含まれる二以上の第2のピクセル12と電気的に接続され、二以上の第2のピクセル12からの出力電流を一括して取り出す第2の配線22とを備える。第2のピクセル12のクエンチング抵抗24の抵抗値は、第1のピクセル11のクエンチング抵抗23の抵抗値よりも大きい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
共通の半導体基板に形成され、アバランシェフォトダイオードをそれぞれ含む複数のピクセルと、
前記半導体基板上に形成されて前記複数のピクセルに含まれる二以上の第1のピクセルとクエンチング抵抗を介して電気的に接続され、前記二以上の第1のピクセルからの出力電流を一括して取り出す第1の配線と、
前記半導体基板上に形成されて前記複数のピクセルに含まれる二以上の第2のピクセルとクエンチング抵抗を介して電気的に接続され、前記二以上の第2のピクセルからの出力電流を一括して取り出す第2の配線と、を備え、
前記第2のピクセルの前記クエンチング抵抗の抵抗値が、前記第1のピクセルの前記クエンチング抵抗の抵抗値よりも大きい、光電変換素子。
IPC (4件):
H01L 31/107
, H01L 27/146
, H01L 27/144
, G01J 1/42
FI (4件):
H01L31/10 B
, H01L27/14 A
, H01L27/14 K
, G01J1/42 H
Fターム (16件):
2G065AA02
, 2G065AA04
, 2G065BA09
, 2G065BA34
, 2G065BC28
, 4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA06
, 4M118CA03
, 4M118FA06
, 5F849AA07
, 5F849BA06
, 5F849BB03
, 5F849DA50
, 5F849EA04
, 5F849XB38
引用特許:
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