特許

J-GLOBAL ID：201703010167070861

パターン形成方法

発明者： 八重樫 英民
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-112744
公開番号（公開出願番号）：特開2017-219617
出願日： 2016年06月06日
公開日（公表日）： 2017年12月14日
要約：

【課題】1Dレイアウト技術によるパターン形成において、露光工程の回数を低減することが可能なパターン形成方法を提供すること。【解決手段】下地膜の上に繰り返しのラインパターン形状の第1の膜を形成する工程と、第1の膜の側面に第1の膜とはエッチング選択性の異なる第2の膜を形成する工程と、第1の膜を除去することなく第2の膜の上面及び側面に第1の膜及び前記第2の膜とはエッチング選択性の異なる第3の膜を形成する工程と、第3の膜の上に開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをエッチングマスクとして第3の膜をエッチングすることにより第1の膜、第2の膜及び第3の膜の上面が露出した凹部を形成する工程と、第2の膜が残存するように凹部において上面が露出した第1及び第3の膜をエッチングすることにより、下地膜を露出させる工程と、露出膜をエッチングすることにより、貫通孔を形成する工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地膜の上に、繰り返しのラインパターン形状の第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜の側面に、前記第1の膜とはエッチング選択性の異なる第2の膜を形成する工程と、 前記第1の膜を除去することなく、前記第2の膜の上面及び側面に、前記第1の膜及び前記第2の膜とはエッチング選択性の異なる第3の膜を形成する工程と、 前記第3の膜の上に、開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをエッチングマスクとして前記第3の膜をエッチングすることにより、前記第1の膜の上面、前記第2の膜の上面及び前記第3の膜の上面が露出した凹部を形成する工程と、 前記凹部において上面が露出した前記第2の膜が残存するように、前記凹部において上面が露出した前記第1の膜及び前記第3の膜をエッチングすることにより、前記下地膜の上面を露出させる工程と、 上面が露出した前記下地膜をエッチングすることにより、前記下地膜を貫通する貫通孔を形成する工程と、 を有する、パターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

G03F7/20 521 ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/90 A

Fターム (22件)：

2H197AB08 ,  2H197AB12 ,  2H197HA03 ,  2H197JA15 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB13 ,  5F004EA03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX33