磁気抵抗素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-076767
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207195
特許番号：特許第6073565号
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された化合物半導体膜からなる感磁部と、前記感磁部の上部に、前記感磁部の1/3以下の幅で配置される感磁部接続電極と、前記感磁部接続電極と分離し、前記感磁部に、前記感磁部接続電極の接続幅よりも広い幅で接続される短絡電極とを備え、前記短絡電極の形状は、前記感磁部接続電極と前記感磁部とが接続する接続電極接続部から遠ざかるにつれて、前記接続電極接続部と前記短絡電極との間の距離が徐々に長くなる部分を有するように形成され、前記感磁部、前記感磁部接続電極、及び、前記短絡電極からなるユニットを複数個直列に接続し、前記感磁部接続電極と、隣接する前記短絡電極とが接続されることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (1件)：