特許
J-GLOBAL ID:201703010325812706
Mn系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにMn系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
須田 篤
, 楠 修二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-067011
公開番号(公開出願番号):特開2017-085076
出願日: 2016年03月30日
公開日(公表日): 2017年05月18日
要約:
【課題】高い熱安定性と低い磁気緩和定数とを有し、容易かつ安定して製造することができる、Mn系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにそのMn系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子を提供する。【解決手段】Mn系強磁性薄膜は、Mnと、Alと、Co,Fe,Cr,NiおよびCuのうちのいずれか1つまたは2つ以上とを有し、L10型構造で、磁化容易軸が膜の表面に対して垂直に配向している。また、スパッタリングにより、MnAl合金層の表面に、Co,Fe,Cr,NiおよびCuのうちのいずれか1つまたは2つ以上を有する金属を成膜することにより製造される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Mnと、Alと、Co,Fe,Cr,NiおよびCuのうちのいずれか1つまたは2つ以上とを有することを特徴とするMn系強磁性薄膜。
IPC (11件):
H01F 10/16
, H01L 29/82
, H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/12
, H01F 41/18
, G01R 33/09
, H03B 15/00
, H01F 10/32
FI (10件):
H01F10/16
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L43/12
, H01F41/18
, G01R33/06 R
, H03B15/00
, H01F10/32
Fターム (37件):
2G017AD55
, 4M119AA06
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD17
, 4M119JJ03
, 4M119JJ09
, 5E049AA09
, 5E049AA10
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049BA30
, 5E049CB01
, 5E049EB06
, 5E049GC01
, 5F092AA08
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB10
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BC04
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BE24
, 5F092BE27
, 5F092CA02
, 5F092CA25
引用特許:
審査官引用 (13件)
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磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-094625
出願人:株式会社東芝
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磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-094886
出願人:株式会社東芝
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特開平4-127508
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特開平4-127508
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垂直磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-005598
出願人:独立行政法人物質・材料研究機構, ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド
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特開平2-079210
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特開平2-079210
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特開昭58-084411
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特開平4-127508
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特開平2-079210
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特開昭58-084411
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磁気トンネル接合素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-272159
出願人:株式会社サムスン日本研究所, 国立大学法人東北大学
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特開昭58-084411
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引用文献:
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