特許
J-GLOBAL ID:201703010502121255

光学フィルムの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-283798
公開番号(公開出願番号):特開2014-126721
特許番号:特許第6064590号
出願日: 2012年12月27日
公開日(公表日): 2014年07月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 平均総アシル基置換度が2.00〜2.60の範囲内のセルロースエステルと波長分散調整剤とを含有するフィルムを斜め方向に延伸することで光学フィルムを製造する光学フィルムの製造方法であって、前記波長分散調整剤は、下記一般式(A)で表され、示差走査熱量計により下記測定方法で測定された、融点が50〜180°Cの範囲内にあり、降温結晶化温度が130°C以下であるか又は結晶化時の発熱ピークが観察されない化合物であり、かつ前記光学フィルムの面内の遅相軸と前記光学フィルムの搬送方向とのなす角度が40〜50°の範囲内であり、さらに下記式(a)〜式(c)を満たすことを特徴とする光学フィルムの製造方法。 式(a) 110nm≦Ro(550)≦170nm 式(b) 0.72≦Ro(450)/Ro(550)≦0.96 式(c) 0.83≦Ro(550)/Ro(650)≦0.97 (Ro(450)、Ro(550)及びRo(650)は、それぞれ、23°C・55%RHの条件下、光波長450nm、550nm及び650nmで測定される面内方向の位相差値を表す) (上記一般式(A)において、Qは、芳香族炭化水素環、非芳香族炭化水素環、芳香族複素環又は非芳香族複素環を表す。Wa及びWbは、それぞれQの環を構成する原子に結合する水素原子又はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基及びカルバモイル基から選ばれる置換基であり、WaとWbとは互いに同じでも異なっていてもよく、WaとWbは互いに結合して環を形成してもよい。R3は、水素原子又はハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アシル基、カルバモイル基、アリール基及びヘテロアリール基から選ばれる置換基を表す。mは、0〜2の整数を表し、mが2の場合、二つのR3は互いに同じでも異なっていてもよい。nは、1〜10の整数を表し、nが2以上である場合、2以上のQ、L2、Wa、Wb、R3及びmのそれぞれは、互いに同一であっても異なっていてもよい。L1及びL2は、それぞれ独立に、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、O、(C=O)、(C=O)-O、NRL、S、(O=S=O)及び(C=O)-NRLからなる群より選ばれる2価の連結基であるか、それらの組合せであるか又は単結合を表す。RLは、水素原子又はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基及びシアノ基から選ばれる置換基を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アシル基及びカルバモイル基から選ばれる置換基を表す。) 測定方法 波長分散調整剤の試料をアルミニウム製のパンに10mg秤量し、アルミニウム製のカバーで蓋をして密閉する。リファレンスとして、アルミニウム製のパンとカバー(合計質量約35mg)を用いる。示差走査熱量計DSC6220(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)を用いて、窒素雰囲気下(50ml/min)で30°Cから250°Cまで昇温速度10°C/minで昇温し、250°Cで1分保持した後、250°Cから30°Cまで降温速度20°C/minで降温する。昇温過程において観察された吸熱ピークの極小点における温度を、前記波長分散調整剤の融点とする。試料によっては複数の吸熱ピークが存在する場合、最も高温側に位置する吸熱ピークから融点を求めるものとする。降温過程において観察された発熱ピークの極大点における温度を試料の降温結晶化温度とする。複数の発熱ピークが存在する場合、最も高温側に位置する発熱ピークから降温結晶化温度を求めるものとする。
IPC (7件):
G02B 5/30 ( 200 6.01) ,  H05B 33/02 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1335 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1336 ( 200 6.01) ,  C08L 1/10 ( 200 6.01) ,  C08J 5/18 ( 200 6.01)
FI (7件):
G02B 5/30 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/14 A ,  G02F 1/133 510 ,  G02F 1/133 3 ,  C08L 1/10 ,  C08J 5/18 CEP
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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