特許
J-GLOBAL ID:201703010989013193
部分フッ素化ジオキソランの製造方法、ジオキソールの製造方法、及び、電解質の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
畠山 文夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-124130
公開番号(公開出願番号):特開2014-240374
特許番号:特許第6107452号
出願日: 2013年06月12日
公開日(公表日): 2014年12月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】 (1)式で表される構造を備えた脱離基X1を有する部分フッ素化エステルと、CF3-とを反応させ、(2)式で表される構造を備えた部分フッ素化ジオキソランを得る反応工程
を備えた部分フッ素化ジオキソランの製造方法。
但し、
R1は、炭素数1以上10以下のパーフルオロアルキル基、
nは、1以上5以下の整数、
各Rは、それぞれ、水素、炭素数1以上10以下のアルキル基、又は、アリール基、
X1は、Cl、Br、I、トシラート、メシラート、又は、トリフラート。
IPC (6件):
C07D 317/16 ( 200 6.01)
, C08F 34/02 ( 200 6.01)
, H01M 10/0567 ( 201 0.01)
, H01M 4/86 ( 200 6.01)
, H01M 8/02 ( 201 6.01)
, H01M 8/10 ( 201 6.01)
FI (6件):
C07D 317/16
, C08F 34/02
, H01M 10/056
, H01M 4/86 B
, H01M 8/02 P
, H01M 8/10
引用特許: