特許
J-GLOBAL ID：201703011022264206

撮像素子及びその製造方法、並びに、撮像装置及びその製造方法

発明者：
山崎 知洋

山崎 知洋 について

, 
丸山 康

丸山 康 について


出願人/特許権者：
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 について


代理人 (2件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-202659
公開番号（公開出願番号）：特開2017-076683
出願日： 2015年10月14日
公開日（公表日）： 2017年04月20日
要約：
【課題】ワイヤグリッド偏光素子の製造時、放電の発生を抑制することができる構成、構造を有する撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子は、光電変換部40、並びに、少なくとも帯状の光反射層51及び光吸収層53の積層構造体54が、複数、離間して並置されて成るワイヤグリッド偏光素子50を備えており、光反射層51は第1導電材料から成り、光吸収層53は第2導電材料から成り、光反射層51の延在部51aが基板31又は光電変換部40と電気的に接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板に形成された光電変換部、並びに、 光電変換部の光入射側に配設され、少なくとも帯状の光反射層及び光吸収層の積層構造体が、複数、離間して並置されて成るワイヤグリッド偏光素子、 を備えた撮像素子を、複数、撮像領域に有する撮像装置の製造方法であって、 各撮像素子を、 (a)光電変換部を形成した後、光電変換部上に、第1導電材料から成る光反射層形成層を設け、次いで、 (b)光反射層形成層の上又は上方に、第2導電材料から成り、少なくとも一部が光反射層形成層と接した光吸収層形成層を設け、その後、 (c)光吸収層形成層及び光反射層形成層をパターニングすることで、帯状の光反射層及び光吸収層の積層構造体が、複数、離間して並置されて成るワイヤグリッド偏光素子を得る、 各工程に基づき製造し、 工程(a)において、併せて、第1導電材料から成る光反射層形成層を基板又は光電変換部に電気的に接続する撮像装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/369 ,  G02B 5/30
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 690 ,  G02B5/30
Fターム (36件)：
2H149AA22 ,  2H149AB26 ,  2H149BA23 ,  2H149BB28 ,  2H149FA41W ,  2H149FC07 ,  2H149FC08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA01 ,  4M118CA22 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  4M118GA02 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GC14 ,  4M118GC15 ,  4M118GC17 ,  4M118GC20 ,  4M118GD04 ,  5C024CX03 ,  5C024CX21 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX01 ,  5C024GX06 ,  5C024HX46
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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