特許

J-GLOBAL ID：201703011143363023

基板支持体、静電チャック、基板支持体の各熱領域を作成する方法、及び基板支持体の層を製造する方法

発明者： シング・ハーミート
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118508
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178338
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【解決手段】半導体プラズマ処理装置のなかの基板サポートアセンブリのための加熱板であり、該加熱板は、拡大縮小可能な多重化レイアウトで配置された複数の独立制御可能平面ヒータゾーンと、これらの平面ヒータゾーンを独立に制御及び通電するための電子機器とを含む。各平面ヒータゾーンは、導体と絶縁体との複合体で作成された1つ以上のヒータ素子を含む。加熱板を組み込まれた基板サポートアセンブリは、静電クランプ電極と、温度制御ベース板と含む。加熱板を製造するための方法は、平面ヒータゾーンと、電力供給ラインと、電力戻りラインと、ビアとを有するセラミックシートを接合することを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体処理装置のなかで半導体基板を支持するために使用される基板サポートアセンブリのための加熱板であって、 電気絶縁層と、 少なくとも第1、第2、第3、及び第4の平面ヒータゾーンを含む平面ヒータゾーンであって、絶縁体と導体との複合体で作成された1つ以上のヒータ素子をそれぞれ含み、前記電気絶縁層全域にわたって横方向に分布され、前記半導体基板上における空間的温度分布を調整するように動作可能である、平面ヒータゾーンと、 電力供給ラインであって、少なくとも、前記第1及び第2の平面ヒータゾーンに電気的に接続された第1の導電性電力供給ラインと、前記第3及び第4の平面ヒータゾーンに電気的に接続された第2の導電性電力供給ラインとを含む、電力供給ラインと、 電力戻りラインであって、少なくとも、前記第1及び第3の平面ヒータゾーンに電気的に接続された第1の導電性電力戻りラインと、前記第2及び第4の平面ヒータゾーンに電気的に接続された第2の導電性電力戻りラインとを含む、電力戻りラインと、 を備える、加熱板。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/683 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/02 ,  H05B 3/00 ,  H05B 3/12

FI (7件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/68 N ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 Z ,  H05B3/00 370 ,  H05B3/00 310D ,  H05B3/12 Z

Fターム (38件)：

3K058AA86 ,  3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB51 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092UA01 ,  3K092VV22 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030JA16 ,  4K030KA17 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA04 ,  5F131AA02 ,  5F131BA03 ,  5F131BA04 ,  5F131BA19 ,  5F131CA03 ,  5F131EA03 ,  5F131EA04 ,  5F131EB11 ,  5F131EB78 ,  5F131EB81 ,  5F131EB82