特許

J-GLOBAL ID：201703011189606354

トランスファー長評価素子構造および評価手法

発明者： 殿内 規之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (2件)： 机 昌彦 ,  下坂 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-026986
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147298
出願日： 2016年02月16日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：

【課題】トランスファー長ltを求める上で、測定可能範囲が広く、精度の高いデータ取得を可能とする。【解決手段】基板1上にゲート電極2、絶縁層3、絶縁層3を介してゲート電極2と異なる層にトランスファー長評価電極群が形成され、電極群の各電極(Et-1、・・・、Et-i、・・・、Et-imax)は互いに平行で電極太さWel-iが異なり、電極群に接触する形で形成された半導体層4を有するトランスファー長評価素子を用いる。電極Et-i+1をドレイン電極、電極Et-i+2をソース電極として電流を印加し、電極Et-i+1に隣接するもう一方の電極Et-i側の半導体/電極Et-i+1接触終端部での半導体/電極界面間に発生する電圧を電極Et-iで測定するプロセスを電極太さの異なる複数の電極で行い、測定電圧の電極太さ依存性と、TLMから得られる接触抵抗値を用いてトランスファー長を求める。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極、絶縁層、前記絶縁層を介してゲート電極と異なる層にトランスファー長評価電極群が形成され、前記トランスファー長評価電極群の各電極が互いに平行で、かつ、電極太さが互いに異なり、前記トランスファー長評価電極群に接触して形成された半導体層を有することを特徴とする評価素子。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L29/78 624 ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/66 Y

Fターム (19件)：

4M106AB01 ,  4M106CA56 ,  5F110AA24 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ14