特許

J-GLOBAL ID：201703011476297770

半導体装置の製造方法、基板処理装置、ガス供給システムおよびプログラム

発明者： 中谷 公彦 ,  小川 有人
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-193785
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069407
出願日： 2015年09月30日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

【課題】段差被覆性や埋め込み特性の良い、金属窒化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面にトレンチが形成された基板に対して、ハロゲン系原料ガスを供給する工程と、基板に対して、反応ガスを供給する工程と、基板に対して、第1のプロセス条件で反応阻害ガスを供給する工程と、を時分割して行うサイクルを所定回数繰り返す工程と、基板に対して、ハロゲン系原料ガスを供給する工程と、基板に対して、反応ガスを供給する工程と、基板に対して、第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で反応阻害ガスを供給する工程と、を時分割して行うサイクルを所定回数繰り返す工程と、を行い、トレンチ内に膜を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

表面にトレンチが形成された基板に対して、ハロゲン系原料ガスを供給する工程と、 前記基板に対して、反応ガスを供給する工程と、 前記基板に対して、第1のプロセス条件で反応阻害ガスを供給する工程と、 を時分割して行うサイクルを所定回数繰り返す工程と、 前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給する工程と、 前記基板に対して、前記反応ガスを供給する工程と、 前記基板に対して、前記第1のプロセス条件とは異なる第2のプロセス条件で前記反応阻害ガスを供給する工程と、 を時分割して行うサイクルを所定回数繰り返す工程と、 を行い、前記トレンチ内に膜を形成する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 C

Fターム (37件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD43 ,  4M104GG09 ,  4M104HH13 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB19 ,  5F045DP03 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05