耐タンパメモリ方式

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：曾我道治 , 鈴木憲七 , 梶並順 , 大宅一宏 , 上田俊一 , 吉田潤一郎 , 飯野智史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-089516
公開番号（公開出願番号）：特開2014-216659
特許番号：特許第6048965号
出願日： 2013年04月22日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリのアクセス時に、メモリ自身のサイドチャネル情報のアドレス依存性を低減させる耐タンパメモリ方式であって、 1つのポートから設定アドレスに対応した読み出しアクセスを実行する際に、前記設定アドレスの全てのビットを反転させた反転アドレスを生成し、他方のポートあるいはダミーのポートから前記反転アドレスに対応した読み出しアクセスを実行するアドレス制御部を備える耐タンパメモリ方式。

IPC (3件)：

H04L 9/10 ( 200 6.01) , G06F 21/75 ( 201 3.01) , G06F 12/14 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H04L 9/00 621 Z , G06F 21/75 , G06F 12/14 510 D

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