p型ZnO系半導体単結晶層、及び、ZnO系半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 鵜飼伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-024013
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041992
特許番号：特許第6092648号
出願日： 2013年02月12日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (i)Cuまたは/及びAgであるIB族元素と、(ii)B、Ga、Al、及びInからなる群より選択される一以上のIIIB族元素とが共ドープされたp型ZnO系半導体単結晶層であって、前記IB族元素の濃度[IB]と、前記IIIB族元素の濃度[IIIB]とが、0.9≦[IB]/[IIIB]<100を満たし、かつ、[IB]が8.0×1019/cm3以上、[IIIB]が3.2×1019/cm3以上であるp型ZnO系半導体単結晶層。

IPC (2件)：