特許

J-GLOBAL ID：201703011722037898

ウェーハ幾何形状メトリックを用いるオーバーレイ及び半導体プロセス制御

発明者： ブカダラ プラディープ ,  ベーララガバン サティシュ ,  シンハ ジェイディープ ケイ
出願人/特許権者： ケーエルエー-テンカー コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-535794
特許番号：特許第6042442号
出願日： 2012年10月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ウェーハ幾何形状メトリックを提供するための方法であって、 第1のプロセスレベル及び付加的なプロセスレベルのウェーハの表面の複数の点のそれぞれでのウェーハ形状値を取得すること、 前記取得した第1のプロセスレベル及び付加的なプロセスレベルの各点でのウェーハ形状値を用いて、前記第1のプロセスレベルと前記付加的なプロセスレベルとの間のウェーハ形状の変化に対応する、各点でのウェーハ形状変化値を生成すること、 前記生成された各点でのウェーハ形状変化値を用いて前記各点での形状変化の傾きを計算することによって、それぞれが前記ウェーハの表面の少なくとも1つの方向に沿ったウェーハ形状の変化の傾きに対応する、形状変化の傾き値の組を生成すること、 前記生成された形状変化の傾き値の組を用いてプロセスツールコレクタブルの組を計算すること、 前記プロセスツールコレクタブルの組を用いて前記各点での形状変化の傾き残差値を計算することによって形状変化傾き残差(SSCR)の組を生成すること、 前記ウェーハの表面にわたって分散され、それぞれが前記複数の点のうちの1つ以上の点を包含する、複数のメトリック解析領域を定義すること、 前記各メトリック解析領域内の1つ以上のSSCRに基づいて前記各メトリック解析領域に関する1つ以上の形状変化傾き残差メトリックを生成すること、 を含む、方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01B 21/02 ( 200 6.01) ,  G01B 11/02 ( 200 6.01) ,  G01B 11/24 ( 200 6.01) ,  G01B 21/20 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/66 K ,  G01B 21/02 Z ,  G01B 11/02 G ,  G01B 11/24 D ,  G01B 21/20 A