特許
J-GLOBAL ID：201703011765156327
太陽電池の製造方法、および太陽電池
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
岡部 讓
, 吉澤 弘司
, 三村 治彦
, 久保田 智樹
, 岡部 洋
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013006507
公開番号（公開出願番号）：WO2014-155444
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
本発明は、バッファ層をドライプロセスであるスパッタリング法で形成した場合であっても高い変換効率を実現し得る太陽電池の製造方法、および太陽電池を提供する。本発明の一実施形態に係る太陽電池の製造方法は、Seを含有する光吸収層3上に、バッファ層としてのZnMgO膜4を、スパッタリング法にて形成する。ZnMgO膜4の成膜工程は、酸素ガスを導入しながら、スパッタリング法により、ZnMgO膜を光吸収層3の直上に成膜する第1の工程(S03)と、酸素ガスの導入を止めて、スパッタリング法により、ZnMgO膜を成膜する第2の工程(S04)とを有する。
請求項（抜粋）：
真空容器内で行われる太陽電池の製造方法であって、
Seを含有する光吸収層を成膜する工程と、
酸素ガスを導入しながら、スパッタリング法により、ZnおよびMgを含む酸化物を前記光吸収層に接するように成膜する第1の工程と、
前記酸素ガスの導入を止めて、スパッタリング法により、前記第1の工程において成膜した前記ZnおよびMgを含む酸化物上に、さらにZnおよびMgを含む酸化物を成膜する第2の工程と
を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/074
, H01L 31/18
, H01L 31/072
H01L31/06 460
, H01L31/04 420
, H01L31/06 400
5F151AA07
, 5F151AA10
, 5F151CB15
, 5F151CB29
, 5F151DA07
