特許

J-GLOBAL ID：201703011951683558

配線基板の製造方法

発明者： 中村 悠季
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-103955
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212312
出願日： 2016年05月25日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：

【課題】光焼結処理における照射光のエネルギー量の過不足に起因する不良の発生を抑制する。【解決手段】酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜14を基板12上に形成し、基板12上に形成された液膜14を乾燥させて膜体16を形成し、基板12上に形成された膜体16に光焼結処理を施すことにより、基板12上に導電膜18を形成する配線基板10の製造方法であって、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度(kJ/cm3)I、前記照射光のエネルギー密度の下限値Imin及び上限値Imax、前記基板の熱拡散率(mm2/s)xが下記(1)〜(3)式を満足する。Imin≦I≦Imax...(1),Imin=566ln(x)+1021...(2),Imax=1891ln(x)+3532...(3)【選択図】図2

請求項（抜粋）：

酸化銅粒子又は貴金属の酸化物の粒子が分散された液膜を基板上に形成し、 前記基板上に形成された前記液膜を乾燥させて膜体を形成し、 前記基板上に形成された前記膜体に光焼結処理を施すことにより、前記基板上に導電膜を形成する配線基板の製造方法であって、 下記(1)〜(3)式を満足する配線基板の製造方法。 Imin≦I≦Imax ...(1) Imin=566ln(x)+1021 ...(2) Imax=1891ln(x)+3532 ...(3) 但し、Iは、前記光焼結処理における照射光のエネルギー密度(kJ/cm3)であり、Iminは、前記照射光のエネルギー密度の下限値であり、Imaxは、前記照射光のエネルギー密度の上限値であり、xは、前記基板の熱拡散率(mm2/s)である。

IPC (1件)：

H05K 3/12

FI (1件)：

H05K3/12 610D

Fターム (12件)：

5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB49 ,  5E343BB72 ,  5E343DD03 ,  5E343DD12 ,  5E343DD68 ,  5E343ER37 ,  5E343ER43 ,  5E343ER44 ,  5E343GG13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電パターン形成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-524219   出願人：昭和電工株式会社