特許

J-GLOBAL ID：201703012231004390

セラミック配線基板、半導体装置、およびセラミック配線基板の製造方法

発明者： 広瀬 義幸 ,  杉谷 幸愛 ,  胡間 紀人 ,  豊嶋 剛平 ,  上西 昇
出願人/特許権者： 株式会社アライドマテリアル
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013083760
公開番号（公開出願番号）：WO2014-106925
出願日： 2013年12月17日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：

セラミックの前駆体を焼結させて板状に形成された基板に後から形成した上下導通孔内に、高融点金属からなる多孔質構造体を形成したのち低抵抗金属を溶浸させてなり、異常成長粒やボイド、クラック等がなく正常な複合構造を有する上、基板から脱落するおそれのない上下導通体を有するセラミック配線基板とその製造方法、ならびに当該セラミック配線基板を用いて構成される半導体装置を提供する。 基板3の、複合構造を有する上下導通体4を形成する前の上下導通孔2の内面にMo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、およびHfからなる群より選ばれた少なくとも1種からなる中間層5を形成する。

請求項（抜粋）：

Al、およびSiからなる群より選ばれた少なくとも1種を含むセラミックの前駆体を焼結させて板状に形成された基板、 前記基板の焼結後に、当該基板の厚み方向を貫通させて形成された上下導通孔、 前記上下導通孔に充填された、Cu、Ag、およびAuからなる群より選ばれた少なくとも1種の低抵抗金属と、W、およびMoからなる群より選ばれた少なくとも1種の高融点金属とを含む複合材料からなる上下導通体、および 前記上下導通体と基板との間に、前記両者間を隔てて配設された、Mo、W、Co、Fe、Zr、Re、Os、Ta、Nb、Ir、Ru、およびHfからなる群より選ばれた少なくとも1種からなる中間層、 を含むセラミック配線基板。

IPC (4件)：

H01L 23/13 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40 ,  B22F 3/26

FI (4件)：

H01L23/12 C ,  H05K1/11 K ,  H05K3/40 K ,  B22F3/26 D

Fターム (24件)：

4K018AA19 ,  4K018AA21 ,  4K018BA09 ,  4K018BB04 ,  4K018BC12 ,  4K018BD04 ,  4K018CA09 ,  4K018DA03 ,  4K018FA35 ,  4K018KA22 ,  4K018KA33 ,  5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB12 ,  5E317BB13 ,  5E317BB14 ,  5E317BB16 ,  5E317CC22 ,  5E317CC52 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317CD34 ,  5E317GG09 ,  5E317GG20