特許

J-GLOBAL ID：201703012444811605

加熱装置及び方法、電子デバイスの製造方法

発明者： 奥村 智洋
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (2件)： 鎌田 健司 ,  前田 浩夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-109774
公開番号（公開出願番号）：特開2017-216378
出願日： 2016年06月01日
公開日（公表日）： 2017年12月07日
要約：

【課題】線状の熱源を基材に照射して基材を処理するに際して、均一性に優れた加熱装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基材載置台1は凸形状をなし、凸部に基材2が載置される。基材2は、図の矢印の方向に向かって走査される。基材載置台1上にガイドリング14が設けられ、基材2を載置した際の基材2の外縁とガイドリング14の隙間15が、基材2の右側であるほど広くなっている。隙間15には高温のプラズマが入り込むため、基材2の端部は側面からも加熱され、基材2の外周部での到達温度がより低くなる現象を効果的に補償し、均一性に優れた加熱処理を実現できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基材載置台を備え、前記基材載置台上の円形の基材を加熱する加熱装置であって、基材表面の線状の領域を加熱できる熱源と、前記線状の領域の長手方向に対して垂直な向きに、前記基材載置台と前記熱源とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、基材を載置すべき位置の周辺にガイドリングを備え、基材を載置した際の基材の外縁と前記ガイドリングの隙間が均一でないように構成されていること、 を特徴とする加熱装置。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/265 ,  H05H 1/30 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L21/324 P ,  H01L21/265 F ,  H05H1/30 ,  H01L21/20

Fターム (28件)：

2G084AA02 ,  2G084AA03 ,  2G084AA05 ,  2G084AA07 ,  2G084AA08 ,  2G084AA15 ,  2G084BB03 ,  2G084BB07 ,  2G084BB14 ,  2G084CC13 ,  2G084CC34 ,  2G084DD03 ,  2G084DD13 ,  2G084DD22 ,  2G084DD25 ,  2G084DD32 ,  2G084FF02 ,  2G084FF07 ,  2G084FF15 ,  2G084FF21 ,  2G084FF32 ,  2G084GG04 ,  2G084GG08 ,  2G084GG16 ,  5F152CE05 ,  5F152FF20 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01