タングステン堆積充填の強化のためのタングステンの原子層エッチング

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-151661
公開番号（公開出願番号）：特開2017-053024
出願日： 2016年08月02日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
要約：

【課題】基板の特徴(加工・構造)内へタングステンを完全に充填する方法の提供。【解決手段】タングステンで特徴を充填する堆積・原子層エッチング(ALE)プロセスにおいて、反応層を形成するために改質動作515A,Bと、その後に続く、この改質された層のみを除去又はエッチングするための除去動作535A,Bとを含むALEサイクル520A,B,505A,Bにより特徴内へタングステンを充填する方法。エッチング時に表面改質のためのパルスと除去のためのパルスとを交互させることと統合させることで高アスペクト比の特徴内へタングステンが堆積する方法。尚、場合により、前記タングステンの代りにチタン、タンタル、ニッケル、コバル又はモリブデンの内の一つであっても良い、方法。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上の特徴を充填する方法であって、 (a)第1の量の金属を特徴内に堆積させ、 (b) (i)前記堆積された金属の表面を、前記金属をハロゲン含有ガスに曝すことによって改質し、 (ii)前記金属を選択的にエッチングするために、前記改質された表面を活性化ガスに曝すこと、によって、前記特徴の開口におけるまたは前記特徴の前記開口の近くにおける前記金属を前記特徴の内部領域に対して指向的にエッチングすることと、を備える方法。

IPC (8件)：

C23C 16/14 , C23C 16/01 , C23C 16/04 , H01L 21/306 , H01L 21/285 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (9件)：

C23C16/14 , C23C16/01 , C23C16/04 , H01L21/302 101C , H01L21/302 101B , H01L21/302 101D , H01L21/285 C , H01L21/285 301 , H01L21/88 J

Fターム (68件)：

4K030AA02 , 4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA07 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA05 , 4K030BA12 , 4K030BA14 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA04 , 4K030GA02 , 4K030GA12 , 4K030HA01 , 4K030JA16 , 4K030JA17 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB05 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD08 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD81 , 4M104DD89 , 4M104FF16 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F004AA11 , 5F004BD04 , 5F004CA06 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DB08 , 5F004DB10 , 5F004EB01 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033PP06 , 5F033QQ08 , 5F033QQ14 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ53 , 5F033VV16 , 5F033WW00 , 5F033WW08 , 5F033XX04

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