特許
J-GLOBAL ID：201703012458257147
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-031656
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152460
出願日： 2016年02月23日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】半極性面上に形成され、高い平行度と平滑性を備えた共振器端面を有する半導体構造層を有し、閾値電流が大幅に低減された半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体構造層12の表面から半導体基板11に向かって窪み、複数のライン電極13の伸張方向に垂直な方向に沿って整列して伸張する複数のガイド溝を形成する工程と、複数のガイド溝の各々に、ガイド溝の底面から半導体基板に向かって窪み、ガイド溝の伸張方向に沿って伸張するスクライブ溝を形成する工程と、複数のガイド溝に沿って半導体ウェハを分割する工程と、を含み、ガイド溝及びスクライブ溝は、スクライブ溝の伸張方向において互いの方向に内壁が突き出た端部形状を有するように形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の半極性面上に形成された半導体構造層を有する半導体ウェハにおいて、前記半導体構造層上に、互いに平行にかつ直線状に複数のライン電極を形成する工程と、
前記複数のライン電極間において前記半導体構造層の表面から前記半導体基板に向かって窪み、前記複数のライン電極の伸張方向に垂直な方向に沿って整列して伸張する複数のガイド溝を形成する工程と、
前記複数のガイド溝の各々に、前記ガイド溝の底面から前記半導体基板に向かって窪み、前記ガイド溝の伸張方向に沿って伸張するスクライブ溝を形成する工程と、
前記複数のガイド溝に沿って前記半導体ウェハを分割する工程と、を含み、
前記ガイド溝及び前記スクライブ溝は、前記スクライブ溝の伸張方向において互いの方向に内壁が突き出た端部形状を有するように形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AP24
, 5F173AP83
, 5F173AR23
