特許
J-GLOBAL ID:201703012478663338
半導体レーザ光源装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-019721
公開番号(公開出願番号):特開2017-138218
出願日: 2016年02月04日
公開日(公表日): 2017年08月10日
要約:
【課題】流体を三次元的に計測する三次元的なPIVを実現可能な新規な技術を提供する。【解決手段】 半導体レーザ光源装置は、複数のエミッタを含む光源部と、複数のエミッタから射出された各レーザ光を、第一の方向に拡がり、且つ、第一の方向に直交する第二の方向に所定の幅を有して進行するレーザシートに変換するレンズと、を有する。レンズは、複数のエミッタごとに、それぞれのエミッタから射出されたレーザ光をレーザシートに変換する複数のレンズ領域を含む。複数のエミッタのうち少なくとも二つのエミッタから射出されたレーザ光において、レーザ光のレンズ領域における入射位置が、第二の方向において互いに異なる。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
複数のエミッタを含む光源部と、
複数の前記エミッタから射出された各レーザ光を、第一の方向に拡がり、且つ、前記第一の方向に直交する第二の方向に所定の幅を有して進行するレーザシートに変換するレンズと、を有し、
前記レンズは、複数の前記エミッタごとに、それぞれの前記エミッタから射出された前記レーザ光を前記レーザシートに変換する複数のレンズ領域を含み、
複数の前記エミッタのうち少なくとも二つの前記エミッタから射出された前記レーザ光において、前記レーザ光の前記レンズ領域における入射位置が、前記第二の方向において互いに異なることを特徴とする半導体レーザ光源装置。
IPC (4件):
G01P 5/20
, H01S 5/022
, H01S 5/40
, G02B 27/30
FI (4件):
G01P5/20 F
, H01S5/022
, H01S5/40
, G02B27/30
Fターム (5件):
5F173MA10
, 5F173MC30
, 5F173MD64
, 5F173MF03
, 5F173MF39
引用特許:
審査官引用 (1件)
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像変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-295637
出願人:ソニー株式会社
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