特許

J-GLOBAL ID：201703012543343613

双方向ツェナーダイオードおよびその製造方法

発明者： 山本 浩貴
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-147655
公開番号（公開出願番号）：特開2017-063181
出願日： 2016年07月27日
公開日（公表日）： 2017年03月30日
要約：

【課題】コストの増大を抑制でき、優れた電気的特性を達成できる双方向ツェナーダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】双方向ツェナーダイオード1は、基板2を含む。基板2には、p型のベース領域3が形成されている。ベース領域3の表層部には、n型の第1不純物領域8と、n型の第2不純物領域9とが間隔を空けて形成されている。基板2の表面上には、第1不純物領域8に電気的に接続される第1外部電極と、第2不純物領域9に電気的に接続される第2外部電極とが配置されている。この構成において、第1不純物領域8と第2不純物領域9との間に存在するベース領域3の基板2の表面に沿う寸法Sを、4.0μm以上12.5μm以下とした。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の表層部に形成された第1導電型のベース領域と、 前記ベース領域との間でpn接合を形成するように、前記ベース領域の表層部に形成された第2導電型の第1不純物領域と、 前記ベース領域との間でpn接合を形成するように、前記第1不純物領域から間隔を空けて前記ベース領域の表層部に形成された第2導電型の第2不純物領域と、 前記第1不純物領域に電気的に接続されるように、前記基板の表面上に配置された第1電極と、 前記第2不純物領域に電気的に接続されるように、前記基板の表面上に配置された第2電極とを含み、 前記第1不純物領域と前記第2不純物領域との間に存在する前記ベース領域の前記基板の表面に沿う寸法が、4.0μm以上12.5μm以下である、双方向ツェナーダイオード。

IPC (6件)：

H01L 21/329 ,  H01L 29/866 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/265

FI (6件)：

H01L29/90 S ,  H01L29/91 B ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/91 K ,  H01L29/06 301R ,  H01L21/265 602A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• チップ部品およびその製造方法、ならびに当該チップ部品を備えた回路アセンブリおよび電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-220433   出願人：ローム株式会社