特許
J-GLOBAL ID：201703012852036890
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170283
公開番号（公開出願番号）：特開2015-041627
特許番号：特許第6098820号
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に、第1反射鏡、発光部及び第2反射鏡が順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、
前記第1反射鏡の、前記発光部の形成側と反対側の面の外縁に位置する第1領域に接触するように形成された第1コンタクト層と、
前記第1反射鏡の、前記発光部の形成側と反対側の面において、前記第1領域よりも内側に位置する第2領域に接触するように形成された、前記第1コンタクト層よりも不純物濃度が低濃度の第1不純物拡散領域と、
前記第1コンタクト層と前記第1不純物拡散領域の境界部分に形成された、絶縁層又は半導体層からなる不純物拡散防止層と
前記第1反射鏡の外側位置において、底面を前記第1コンタクト層の上面と接触して形成された第1電極と、
前記第2反射鏡の上層に形成された第2コンタクト層と、
前記第2コンタクト層の上層に形成された第2電極を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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