特許
J-GLOBAL ID:201703013130153081

MEMS装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 原 拓実 ,  渡邊 実 ,  高橋 拓也 ,  大西 邦幸 ,  石川 隆史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-028777
公開番号(公開出願番号):特開2017-147363
出願日: 2016年02月18日
公開日(公表日): 2017年08月24日
要約:
【課題】可変容量素子の最小容量を安定化したMEMS装置を提供する。【解決手段】実施形態のMEMS装置は、基板上に形成された第1電極と、前記第1電極の上方に対向して上下方向に可動に配置され、かつ、凸構造を有する第2電極と、前記第2電極を収容する空洞を形成し、かつ前記空洞と連通する複数の貫通孔と前記空洞側に突出した突起部とを備えた第1の保護膜と、前記第1の保護膜を覆うように、前記第1の保護膜上に設けられた封止層と、を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に形成された第1電極と、 前記第1電極の上方に対向して上下方向に可動に配置され、かつ、凸構造を有する第2電極と、 前記第2電極を収容する空洞を形成し、かつ前記空洞と連通する複数の貫通孔と前記空洞側に突出した突起部とを備えた第1の保護膜と、 前記第1の保護膜を覆うように、前記第1の保護膜上に設けられた封止層と、 を備えるMEMS装置。
IPC (2件):
H01G 5/16 ,  B81B 3/00
FI (2件):
H01G5/16 ,  B81B3/00
Fターム (16件):
3C081AA01 ,  3C081BA30 ,  3C081BA32 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA29 ,  3C081DA03 ,  3C081DA27 ,  3C081DA29 ,  3C081DA30 ,  3C081DA45 ,  3C081EA24

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