特許

J-GLOBAL ID：201703013547349850

パターン形成方法および半導体素子の製造方法

発明者： 鳥海 実
出願人/特許権者： 株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター
代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-065680
公開番号（公開出願番号）：特開2017-181639
出願日： 2016年03月29日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：

【課題】感度を高め、解像性の低下を抑制できるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】レジスト膜2上に酸発生剤を含む溶液を塗布し、レジスト膜2中に前記酸発生剤を浸透させる。次に、前記酸発生剤が浸透されたレジスト膜2の一部の領域にエネルギー線4を照射し、その後、レジスト膜2を加熱する。そして、加熱されたレジスト膜2を現像する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストを含むレジスト膜上に酸発生剤を含む溶液を塗布し、前記レジスト膜中に前記酸発生剤を浸透させる工程と、 前記レジスト膜の一部の領域にエネルギー線を照射する工程と、 前記レジスト膜を加熱する工程と、 前記レジスト膜を現像する工程と を具備してなることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/20

FI (6件)：

G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/20 521

Fターム (26件)：

2H197AA05 ,  2H197CA05 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA10 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H225AF24N ,  2H225AF24P ,  2H225AF44N ,  2H225AF44P ,  2H225AH12 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ47 ,  2H225AM23N ,  2H225AM94N ,  2H225AN11P ,  2H225AN39P ,  2H225AN64N ,  2H225BA26N ,  2H225CA12 ,  2H225CB14 ,  2H225CC03 ,  2H225CC15 ,  2H225DA05