特許
J-GLOBAL ID：201703014210602380

紫外線受光素子

発明者：
吉川 陽

吉川 陽 について

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森下 朋浩

森下 朋浩 について

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岩谷 素顕

岩谷 素顕 について

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山本 雄磨

山本 雄磨 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について

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学校法人 名城大学

学校法人 名城大学 について


代理人 (2件)： 森 哲也 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-217931
公開番号（公開出願番号）：特開2017-092154
出願日： 2015年11月05日
公開日（公表日）： 2017年05月25日
要約：
【課題】受光感度の高い紫外線受光素子を提供する。【解決手段】基板1と、基板1上の、Al及びGaのうち少なくとも一つを含む第1の窒化物半導体層11と、第1の窒化物半導体層11上の、Al及びGaのうち少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体層12と、第2の窒化物半導体層12上の、Al及びGaのうち少なくとも一つを含み、3次元島状構造であって、2nm以上50nm以下の膜厚を有する第3の窒化物半導体層13とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上の、Al及びGaのうち少なくとも一つを含む第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層上の、Al及びGaのうち少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層上の、Al及びGaのうち少なくとも一つを含み、3次元島状構造を有する第3の窒化物半導体層と、を備える紫外線受光素子。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (10件)：
5F849AA14 ,  5F849AB07 ,  5F849BA01 ,  5F849DA11 ,  5F849DA44 ,  5F849GA03 ,  5F849LA03 ,  5F849XB18 ,  5F849XB24 ,  5F849XB43
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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