特許
J-GLOBAL ID：201703014535735068
不揮発性ラッチ回路及びメモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-166231
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214345
特許番号：特許第6145972号
出願日： 2012年07月26日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ラッチ部と、
電荷吸収部と、
第1の電極がプレート線に接続され、第2の電極が前記電荷吸収部に接続された第1の強誘電体容量とを有し、
前記第1の強誘電体容量から前記ラッチ部への情報の読み出し時に、前記第1の強誘電体容量の前記第2の電極の電位の変動を抑制するように、前記プレート線を動作させて前記第1の強誘電体容量から出力させた電荷の少なくとも一部の電荷を前記電荷吸収部で吸収し、
前記電荷吸収部は、ドレインが前記第1の強誘電体容量の前記第2の電極に接続され、ソースが基準電位ノードに接続された第1のトランジスタを有し、
さらに、第1の電極が電源電位ノードに接続され、第2の電極が前記ラッチ部に接続された第3の強誘電体容量と、
前記第1のトランジスタの電流をミラーリングした電流を前記第3の強誘電体容量の第2の電極から引く第1の電流ミラー部とを有することを特徴とする不揮発性ラッチ回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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