特許

J-GLOBAL ID：201703014859651568

半導体集積回路、センサ読取装置及びセンサ読取方法

発明者： 尾込 智和 ,  中井 貴之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 木村 満 ,  八島 耕司 ,  美恵 英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-560027
特許番号：特許第6067198号
出願日： 2016年04月25日
要約：

【要約】 センサ読取装置において、センサアレイ(11)に含まれる各センサ素子からのセンサ信号を増幅して出力する機能を有するICチップ(10)は、各センサ素子に接続された複数のチャネルアンプ(111-1〜n)を備える。出力スイッチ(114)が導通され、ICチップ(10)が出力状態にあるときは、チャネルスイッチ(112-1〜n)を順次切り替えて、チャネルアンプ(111-1〜n)からセンサ増幅信号を順次出力する。出力スイッチ(114)が遮断され、ICチップ(10)が非出力状態にあるときに、チャネルアンプ(111-1〜n)のオペアンプのバイアス電流を低減させて低消費電力状態とするとともに、オペアンプの利得を低減する。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数のセンサ素子から入力されるセンサ信号をそれぞれ増幅する複数の第1増幅器と、 複数の前記第1増幅器の出力に接続され、導通又は遮断の切り替えをそれぞれ行う複数の第1スイッチと、 前記第1スイッチを介して前記第1増幅器から出力されるセンサ増幅信号を、外部出力端子に対して導通又は遮断の切り替えを行う第2スイッチと、 前記第2スイッチが導通している時に、複数の前記第1増幅器から出力される前記センサ増幅信号を1つずつ順次出力するように前記第1スイッチの切り替えを行い、前記第2スイッチが遮断している時に、複数の前記第1増幅器のうち少なくとも1つ以上の前記第1増幅器に対してバイアス電流及び利得を前記第2スイッチが導通している時の第1設定値より低い第2設定値にする制御を行う制御回路と、 を備える半導体集積回路。

IPC (4件)：

H03F 3/45 ( 200 6.01) ,  H03F 3/72 ( 200 6.01) ,  H03G 3/10 ( 200 6.01) ,  H03G 5/12 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H03F 3/45 Z ,  H03F 3/72 ,  H03G 3/10 ,  H03G 5/12