特許

J-GLOBAL ID：201703014919072490

有機半導体をドーピングする方法およびドーピング組成物

発明者： トーマス・クグラー ,  シーナ・ズーベリー
出願人/特許権者： ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ,  住友化学株式会社
代理人 (16件)： 小野 誠 ,  金山 賢教 ,  坪倉 道明 ,  重森 一輝 ,  安藤 健司 ,  市川 英彦 ,  青木 孝博 ,  櫻田 芳恵 ,  川嵜 洋祐 ,  五味渕 琢也 ,  今藤 敏和 ,  飯野 陽一 ,  市川 祐輔 ,  森山 正浩 ,  岩瀬 吉和 ,  城山 康文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-140768
公開番号（公開出願番号）：特開2017-033929
出願日： 2016年07月15日
公開日（公表日）： 2017年02月09日
要約：

【課題】n-ドープされた半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】n-ドープされた半導体層を形成する方法であって、ここで有機半導体およびn-ドーパント試薬を含むフィルムは、前記有機半導体の吸収範囲である波長を有する光によって照射され、n-ドーパント前駆体の吸収最大波長は前記光のいずれかのピーク波長よりも短い、方法。n-ドープされた半導体層は、有機発光デバイスの電子注入層であってもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n-ドープされた半導体層を形成する方法であって、ここで有機半導体およびn-ドーパント試薬を含むフィルムは、前記有機半導体の吸収範囲である波長を有する光によって照射され、前記n-ドーパント試薬の吸収最大波長は前記光のいずれかのピーク波長よりも短い、方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 B ,  H01L29/78 618B

Fターム (14件)：

3K107AA01 ,  3K107CC12 ,  3K107DD74 ,  3K107DD78 ,  3K107DD79 ,  3K107FF06 ,  3K107FF14 ,  3K107FF19 ,  3K107GG06 ,  3K107GG28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-193519   出願人：日本放送協会, 株式会社日本触媒

審査官引用 (1件)

• 有機電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-193519   出願人：日本放送協会, 株式会社日本触媒