特許

J-GLOBAL ID：201703015217287451

窒化物半導体トランジスタ装置

発明者： 白田 理一郎 ,  高谷 信一郎
出願人/特許権者： 白田 理一郎 ,  高谷 信一郎
代理人 (3件)： 下坂 スミ子 ,  打越 佑介 ,  関口 嗣畝子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-000966
公開番号（公開出願番号）：特開2017-123383
出願日： 2016年01月06日
公開日（公表日）： 2017年07月13日
要約：

【課題】特性ばらつきが少なく、スイッチとしての性能に優れるノーマリオフ窒化物半導体トランジスタ装置を提供する。【解決手段】基板101上にバッファ層102、GaN層103、AlGaN層104を順次形成し、AlGaN層104上に絶縁膜105、電荷蓄積層106、絶縁膜107、制御電極108を順次形成し、AlGaN層104上に電荷蓄積層106を挟んでソース電極109とドレイン電極110を形成し、制御電極108に印加する電圧によりAlGaN層104とGaN層103との界面に形成される導電チャネル111を介してソース電極109とドレイン電極110との間を流れる電流を遮断する閾値を、電荷蓄積層106に蓄積する電荷を調節することにより正の値とする。【選択図】図1(a)

請求項（抜粋）：

基板と、 基板上に設けられた第1の窒化物半導体層と、 第1の窒化物半導体層上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層と、 第2の窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜と、 少なくとも一部が第2の窒化物半導体層上の第1の絶縁膜上に設けられており、金属或は半導体で構成される低抵抗層よりなる電荷蓄積層と、 面方向に電荷蓄積層を挟んで第2の窒化物半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、 電荷蓄積層と第1の容量を介して静電容量結合された第1の制御電極と を有し、 第1の窒化物半導体と第2の窒化物半導体との界面に誘起される導電チャネルを介してソース電極とドレイン電極の間を流れる電流を第1の制御電極に印加する電圧で電荷蓄積層の電圧を制御することにより変化させることができ、第1の制御電極に印加する電圧により当該電流を遮断する際の閾値が、電荷蓄積層に蓄積する電荷により調節される ことを特徴とする窒化物半導体トランジスタ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

Fターム (27件)：

5F102FA01 ,  5F102GA01 ,  5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F140AA06 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BF04 ,  5F140BF35