特許
J-GLOBAL ID:201703015395830215

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-178505
特許番号:特許第6181261号
出願日: 2016年09月13日
要約:
【課題】大面積のペロブスカイト化合物層を光電変換層に適用した場合においても、優れた発電効率を再現性よく得ることが可能な光電変換素子を提供する。 【解決手段】実施形態の光電変換素子1は、第1の電極3と第2の電極5との間に配置され、組成式:ABX3(Aは金属元素の1価陽イオンおよびアミン化合物の1価陽イオンから選ばれる少なくとも1つ、Bは金属元素の2価陽イオン、Xはハロゲン元素の1価陰イオン)で表される組成を有するペロブスカイト化合物を含む光電変換層4とを具備する。光電変換層は、ペロブスカイト化合物の結晶格子1個に対して、ペロブスカイト化合物の良溶媒を分子個数で0.004個以上0.5個以下の範囲で含有する。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置され、 組成式:ABX3 (式中、Aは金属元素の1価陽イオンおよびアミン化合物の1価陽イオンから選ばれる少なくとも1つであり、Bは金属元素の2価陽イオンであり、Xはハロゲン元素の1価陰イオンである。) で表される組成を有するペロブスカイト化合物を含む光電変換層と、 前記第1の電極または前記第2の電極の前記光電変換層と接する面とは反対側の面に沿って配置された基板とを具備し、 前記光電変換層は、前記ペロブスカイト化合物の結晶格子1個に対して、前記ペロブスカイト化合物の良溶媒を分子個数で0.004個以上0.5個以下の範囲で含有する、光電変換素子。
IPC (1件):
H01L 51/44 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 31/04 112 Z

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