特許

J-GLOBAL ID：201703015538587503

荷電粒子ビーム照射システムおよびそのビーム出射方法

発明者： 西内 秀晶 ,  平本 和夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 井上 学 ,  戸田 裕二 ,  岩崎 重美
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013067561
公開番号（公開出願番号）：WO2014-207852
出願日： 2013年06月26日
公開日（公表日）： 2014年12月31日
要約：

シンクロトロンからイオンビームの出射制御を実施する際、周回しているイオンビームのベータトロン振動振幅を増大させる出射用高周波電極に印加する高周波電圧に起因する出射ビームの電流リップルの発生を抑制し、線量率を向上するため、出射制御装置20は、出射用高周波電極16aに印加する高周波電圧として、シンクロトロン13内を周回するビームをシンクロトロン外に出射されないように、安定限界を超えない範囲で振動振幅を増大させるための第1高周波電圧Fsと、シンクロトロンからビームを出射させるための第2高周波電圧Feとで構成される高周波電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

イオンビームを加速して出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された前記イオンビームを照射する照射装置とを有する荷電粒子ビーム照射システムにおいて、 前記シンクロトロンに設けられた出射用高周波電極に印加する高周波電圧として、前記シンクロトロン内を周回するビームが前記シンクロトロン外に出射されないように、安定限界を超えない範囲で振動振幅を増大させるための第1高周波電圧と、前記シンクロトロンからビームを出射させるための第2高周波電圧とで構成される高周波電圧を印加する出射制御装置を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。

IPC (4件)：

H05H 13/04 ,  H05H 7/10 ,  G21K 5/04 ,  A61N 5/10

FI (8件)：

H05H13/04 G ,  H05H7/10 ,  H05H13/04 M ,  G21K5/04 D ,  G21K5/04 A ,  G21K5/04 C ,  A61N5/10 H ,  A61N5/10 J

Fターム (16件)：

2G085AA13 ,  2G085BA02 ,  2G085BA11 ,  2G085BA13 ,  2G085BB17 ,  2G085CA17 ,  2G085CA22 ,  4C082AA01 ,  4C082AC05 ,  4C082AC07 ,  4C082AE02 ,  4C082AG07 ,  4C082AG12 ,  4C082AG21 ,  4C082AG60 ,  4C082AT03