特許

J-GLOBAL ID：201703015560880516

電界効果型トランジスタガスセンサー

発明者： 宮原 裕二 ,  松元 亮 ,  合田 達郎 ,  吉住 年弘 ,  沖 明男
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京医科歯科大学 ,  パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-010832
公開番号（公開出願番号）：特開2017-129537
出願日： 2016年01月22日
公開日（公表日）： 2017年07月27日
要約：

【課題】容易に製造することができる感ガス性の層を有するガスセンサ用電界効果型デバイス及びガスセンサを提供する。【解決手段】ガスが透過するゲート電極24と、前記ゲート電極を透過したガスを選択的に吸着する有機材料及び/又は錯体材料からなるガス吸着層22と、前記ガス吸着層に対して前記ゲート電極とは反対側に配置されたゲート絶縁層20と、前記ゲート絶縁層に対して前記ガス吸着層とは反対側で互いに離間して配置されたソース電極12S及びドレイン電極12Dと、ソース電極とドレイン電極との間でチャネルを形成する半導体層10と、を有するガスセンサ用電界効果型デバイス100。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガスが透過するゲート電極と、 前記ゲート電極を透過したガスを選択的に吸着する有機材料及び/又は錯体材料を含むガス吸着層と、 前記ガス吸着層に対して前記ゲート電極とは反対側に配置されたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層に対して前記ガス吸着層とは反対側で互いに離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間でチャネルを形成する半導体層と、 を有するガスセンサ用電界効果型デバイス。

IPC (1件)：

G01N 27/00

FI (1件)：

G01N27/00 J

Fターム (9件)：

2G060AA01 ,  2G060AB21 ,  2G060AB24 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060AG08 ,  2G060BA07 ,  2G060BB10 ,  2G060DA13